【據美國德州大學達拉斯分校網站2019年5月28日報道】美國德州大學達拉斯分校的科研人員通過原理論證、設計和仿真，發(fā)展了基于氧化鋅的多值邏輯晶體管的基本物理學，并成功制造出多值邏輯晶體管原型器件。研究人員發(fā)現(xiàn)，可以通過將稱為量子點的氧化鋅晶體嵌入無定形氧化鋅中，實現(xiàn)多值邏輯所需的物理學。研究人員將兩種形式的氧化鋅結合形成復合納米層的新型結構，然后在超晶格中與其他材料層結合制成了多值邏輯晶體管原型。原型晶體管在0和1之間具有2個電子穩(wěn)定且可靠的中間狀態(tài)，可使單個晶體管的邏輯值數量由2個增加到4個。該技術不僅與現(xiàn)有的計算機芯片配置兼容，而且還可以彌合當今計算機和量子計算機之間的差距，并可在不增加晶體管數量的前提下，通過增加每個晶體管攜帶的信息數量來顯著提升電子設備的處理能力。研究人員下一步將會對該項技術進行優(yōu)化，并研究該現(xiàn)象在其他材料中的普遍性。該研究得到了韓國國家研究基金會的支持，相關論文《ZnO composite nanolayer with mobility edge quantization for multi-value logic transistors》已在Nature Communications期刊上發(fā)表。
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